11月13日下午，2019微纳光电子高峰论坛在武汉光博会同期成功举办。该论坛由清华大学国际纳米光电子学研究中心携手中国激光杂志社、光电汇共同主办，由清华大学电子工程系主任黄翊东教授发起并担任主席。本次论坛吸引了200余位微纳光电子领域科研人员、产业代表、学生等到场交流。

清华大学黄翊东教授主持论坛并致开幕辞，华中科技大学余宇教授、南京大学江伟教授、清华大学崔开宇副教授、中山大学蔡鑫伦教授分别就硅基光子集成芯片、硅光波导集成、光机晶体纳米腔、铌酸锂调制器等主题作邀请报告。

清华大学黄翊东教授开幕式致辞

会议现场

在“硅基光子集成芯片”报告中，余宇教授介绍了硅基光子学关键器件和集成芯片面临的主要问题和解决方案：利用耦合器、偏振调控器件、光电转换器件和模式调控器件分别解决模场失配、偏振失配、提升带宽及效率和容量提升等问题。

在“高密度硅光波导集成及光学相控阵等相关应用”报告中，江伟教授讲解了基于波导超晶格的高密度、低串扰波导集成的理论与相关实验，以及利用波导超晶格实现半波长间距的光学相控阵中的相关原理。并介绍在光学相控阵以及相关的热光器件方面的实验与理论进展。

在“基于光声晶体微腔的声子激射”报告中，崔开宇副教授介绍了通过光声晶体微腔增强光声相互作用，以及通过光实现声波的放大和激射，并利用激射后声波具有超窄线宽的特性，实现超高精度的新型传感芯片。

在“高速铌酸锂薄膜调制器”报告中，蔡鑫伦教授综述了铌酸锂薄膜材料国际上研究的最新进展。同时介绍了铌酸锂薄膜与硅光结合，实现了CMOS兼容、更小尺寸、更高性能等特性，全面突破了光电调制器的性能瓶颈、更好地支撑下一代光通信技术。

微纳光电子高峰论坛将以系列论坛的形式在武汉光博会连续举办，致力于推进微纳光电子前沿学术交流、研发应用发展，为微纳光电子领域发展贡献力量。